Profile

1. 학력

1989 ~ 1991. KAIST 전기전자공학과 석사 (반도체 소자, 공정)
1991 ~ 1996. KAIST 전기전자공학과 박사 (반도체 소자, 공정)
2001~2004: 미국 MIT(Massachusetts Institute of Technology) Post-doctor
차세대 SOI, Strained Si, 소자및 공정 엔지니어

2. 경력

     1. Hynix 반도체 : 1995~2001 (책임 연구원)
Logic & DRAM Device Engineer/ Process Integration Engineer
     2. MIT: 2001~2004 (Post-doctor )
차세대 SOI, Strained Si, 소자 및 공정 엔지니어 
      3. 삼성전자: 2004~2006.2 (수석연구원)
차세대 CMOS Image Sensor 개발
이미지센서 소자, 공정, 집적 엔지니어
     4. 세종대학교: 2006.3~ 현재 (정교수)


3. 활동
      1. 2006.4~ 2007.3: 삼성전자 (반도체) 자문:

      2. 한민족과학기술자네트워크(Kosen) 전문자문위원(2006.~2007)
      3. 2007.4~2008.3: PDT. co 자문


4. 수상경력
The IEEE Electron Devices Society 2004 George E.Smith Award, 수행기관: IEEE (미국 전기전자학회)
2005년에 미국전기전자 학회에서 수여하는 George, E. Smith Award (best paper 논문)